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科研成果

直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

专利名称: 直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
英文名称: 直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
专利类别: 发明
申请号: 200810111971.8
申请日期: 2008-5-20
授权日期: 2010-12-22
专利号: ZL200810111971.8
第一发明人: 祁琼
其它发明人: 江潮; 余爱芳
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期: 2010-12-22
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实施情况:
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专利摘要:
其它备注:
   

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