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    科研成果

    碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用

    专利名称: 碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用
    英文名称:
    专利类别: 发明
    申请号: CN201610293108.3
    申请日期: 2016-05-05 00:00:00
    授权日期: 2019-04-12 00:00:00
    专利号: ZL201610293108.3
    第一发明人: 何军
    其它发明人: 程中州
    国外申请日期:
    国外申请方式:
    专利授权日期: 2019-04-12 00:00:00
    缴费情况:
    实施情况:
    专利证书号:
    专利摘要:
    其它备注:
       

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