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    科研成果

    一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法

    专利名称: 一种手性II-VI族半导体纳米晶体及其制备方法
    英文名称:
    专利类别: 发明
    申请号: CN201711000112.7
    申请日期: 2017-10-24 00:00:00
    授权日期: 2020-06-16 00:00:00
    专利号: ZL201711000112.7
    第一发明人: 唐智勇
    其它发明人: 高小青
    国外申请日期:
    国外申请方式:
    专利授权日期: 2020-06-16 00:00:00
    缴费情况:
    实施情况:
    专利证书号:
    专利摘要:
    其它备注:
       

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