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    科研成果

    神经电极组件及其制备方法、植入系统以及存储介质

    专利名称: 神经电极组件及其制备方法、植入系统以及存储介质
    英文名称:
    专利类别: 发明
    申请号: CN202310538879.4
    申请日期: 2023-05-15 00:00:00
    授权日期: 2023-10-27 00:00:00
    专利号: ZL202310538879.4
    第一发明人: 方英
    其它发明人: 田慧慧; 方润九; 杜岩
    国外申请日期:
    国外申请方式:
    专利授权日期: 2023-10-27 00:00:00
    缴费情况:
    实施情况:
    专利证书号:
    专利摘要:
    其它备注:
       

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