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    设备详细介绍

    反应离子刻蚀系统

    Reactive Ion Etching System

    发布时间:2013-01-16 | 【打印】 【关闭】

     

      型   号: SENTECH Etchlab 200

                

      功   能:

    • 硅、氧化硅、氮化硅以及金属的刻蚀
      Etching of silicon, silicon oxide, silicon nitride and metals

      主要配置:

    • 气体(Gas lines):CF4、CHF3、Ar、O2、SF6
    • 基片(Wafer size):小于200 mm的各种基片(up to 200 mm wafers)
    • 射频电源功率(RF power):600 W 
    • 刻蚀选择比(Selection ratio):3:1
    • 不均匀性(Nonuniformity):< 3%

      技术特点:

    • 稳定性和重复性好
      Good stability and repeatability
    • 均匀性好
      Good uniformity

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