型　  号：Plasmalab System 100 ICP180

功　  能：

• 纳米硅刻蚀、深硅刻蚀、低温工艺、SOI工艺、SiO₂刻蚀
  　　Si etching, Nano- Si etching, Deep Si etching, SOI etching, SiO₂ etching
• 刻蚀特征尺寸微米至百纳米；刻蚀深宽比可达10﹕1
  　　Micrometersdown to hundred nanometers; Depth to width ratio up to 10﹕1

主要配置：

• 载片(Wafers)：直径100mm、50mm及小碎片 (up to 100 mm wafers)
• 六路气体 (Gas lines)：C₄F₈、SF₆、CHF₃、Ar、O₂、PN₂
• 射频源(Sources)：
  　  ICP源:3KW,13.56MHz (ICP180 power: 3kW, 13.56MHz)；
  　　RF源:600W,13.56MHz (ICP RF power: 600W, 13.56MHz)；
  　　LF脉冲源:300W，350~ 460 KHz (SOI power300W, 350 ~460 KHz)
• 下电极(Lowerelectrode)：直径240mm氦气背冷辅助冷却 (240mm with backside helium cooling)
• 载片台温度范围(Temperature range)：
  　  冷却液工艺- 30℃~ 80℃ (HTR /Chiller : - 30℃~ 80℃  )；
  　  液氮低温/加热工艺- 150℃~ 400℃ (Liquid nitrogen cryo-cooled / heated process: -150℃~ 400℃  ) 

技术特点：

• 低损伤刻蚀
  　　Low damage etching
• 高速率SiO₂刻蚀
  　　High rate etching of SiO₂
• 高速率各向异性Si刻蚀
  　　High rate anisotropic etching of Si