型　  号： SENTECH SI 500D

  功　  能：

• 氧化硅、氮化硅及氮氧化硅薄膜的低温制备
  Low-temperature deposition of silicon nitride, silicon oxide and silicon oxynitride films
• 非晶硅薄膜的制备
  Deposition of amorphous silicon films

  主要配置：

• 载片(Wafers)：直径小于100 mm的各种基片(up to 100 mm wafers)
• 气体(Gas lines)：SiH₄ 5% + Ar 95%, NH₃, CF₄, Ar, O₂, N₂
• ICP等离子体源(ICP source)：PTSA ICP等离子源(Planar Triple Spiral Antenna inductively coupled plasma source, 13.56 MHz, 1200 W)

  技术特点：

• 高速率低损伤沉积
  Deposition of films with high speed and low damage
• 高质量介质膜的低温沉积
  Deposition of High quality dielectric films at low temperature