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设备详细介绍

热氮烘干机

Photoresist Plasma Ashing System

发布时间:2013-01-25 | 【打印】 【关闭】

 

  型   号: HG – 2

  功   能:

  • 基片的烘干处理
    Drying wafers

  主要配置:

  • 基片(Wafers):直径小于150 mm的各种基片(up to 150 mm wafers)
  • 流量(Gas flow):40 L /min for N2
  • 压力(Pressure):0.35 ~ 0.6 MPa
  • 承片架转速(Rotation rate of holder):7 ~ 40 rmp
  • 温度(Temperature): 70

  技术特点:

  • 氮气压力可调
    Adjustable pressure of nitrogen
  • 加热均匀
    Uniform heating

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